硅濺射靶材為深灰色。硅在室溫下為固體，熔點為1,414°C（2,577°F），沸點為3,265°C（5,909°F）。像水一樣，與大多數其他物質不同，它在液態時的密度比固態時更大，并且在凍結時會膨脹。硅具有149 W?m-1?K-1的較高導熱系數，導熱性很好。硅濺射靶材主要用于反應磁控濺射中，以沉積SiO2和SiN等介電層。作為重要的功能性薄膜材料，它們具有良好的硬度，光學，介電性能和耐磨性。硅靶材的耐腐蝕性在光學和微電子領域具有廣闊的應用前景，并且目前在世界范圍內被廣泛用作功能材料。目前，它主要用于LCD透明導電玻璃，建筑LOW-E玻璃和微電子行業。硅濺射靶可分為兩種：單晶和多晶。我們通過直拉晶體生長方法生產平面硅濺射靶。
備料 - 真空電子束熔煉 - 金剛石線切割 - 退火 - 機加工 - 尺寸檢測 - 清洗 - 終檢 - 包裝
硅濺射靶材的應用
主要用于半導體芯片、平板液晶顯示器（LCD）、裝飾和功能鍍膜工業、太陽能電池板、數據儲存工業（光盤工業）、光通訊工業、玻璃鍍膜（建筑玻璃和汽車玻璃）工業、抗腐蝕抗磨損（表面改性）等領域。
硅鋁、銅硅、鎳鉻硅合金靶材等。
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