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       銅靶材我們可生產(chǎn)純度99.9%~99.9999%的各種純度及要求的銅靶，其中氧含量低可以<1ppm，主要用于顯示屏及觸摸屏配線及其保護(hù)膜，太陽(yáng)能光吸收層、半導(dǎo)體配線等行業(yè)。除了滿足客戶平面靶（大G8.5代）的需求，我們還可以生產(chǎn)銅的旋轉(zhuǎn)靶，主要用于觸摸屏行業(yè)。高純銅靶材的晶粒很難打碎，我們只有通過(guò)超大變形量加工，控制欒晶的生長(zhǎng)，以取得細(xì)小均勻的微觀組織，從而可確保濺射鍍膜時(shí)能獲得較低侵蝕速率，并且降低濺射過(guò)程中顆粒的形成敏感度。下圖是銅濺射靶材的兩種典型的顯微金相檢測(cè)圖片，平均粒徑<50um。

只要您提供詳細(xì)的靶材信息，如純度，尺寸，公差要求，及其他技術(shù)要求，我們將盡快為您提供報(bào)價(jià)，并提供快的交期

      銅濺射靶中的雜質(zhì)會(huì)降低材料的導(dǎo)電率，在半導(dǎo)體膜層生產(chǎn)中雜質(zhì)元素是影響良率的主要因素。以鈦、磷、鈣、鐵、鉻和硒等形式存在的雜質(zhì)尤為關(guān)鍵，而這些金屬在我們的銅靶中含量很少，其雜質(zhì)含量遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于客戶要求標(biāo)準(zhǔn)值。以下表格是4N高純銅濺射靶的成分分析證明書(shū)，采用的分析方法：1.使用GDMS或ICP-OES對(duì)金屬元素進(jìn)行分析；2.使用LECO進(jìn)行氣體元素分析。