鎳釩合金靶材,在集成電路制作中一般用純金做表面導電層,但金與硅晶園容易生成AuSi低熔點化合物,導致金與硅界面粘接不牢固,人們提出了在金和硅晶圓的表面增加一粘接層,常用純鎳做粘接層,但鎳層和金導電層之間也會形成擴散,因此需要再有一阻擋層,來防止金導電層和鎳粘接層之間的擴散。阻擋層需要采用熔點高的金屬,還要承受較大的電流密度,高純金屬釩能滿足該要求。所以在集成電路制作中會用到鎳濺射靶材、釩濺射靶材、金濺射靶材等。鎳釩濺射靶材是在制備鎳釩合金靶材過程中,在鎳熔體中加入釩,使制備出的合金更有利于磁控濺射,結合了鎳濺射靶材和釩濺射靶材的優點,可一次完成濺射鎳層(粘接層)和釩層(阻擋層)。鎳釩合金無磁性,有利于磁控濺射,在電子及信息產業中,正在逐步替代純鎳濺射靶材。下圖是鎳釩 (93/7wt%) 合金濺射靶材的顯微金相檢測圖片,平均粒徑<100μm。
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我們生產高純度的鎳釩濺射靶材,它大的好處是在物理氣相沉積的過程中,能獲得具有優異的導電率和顆粒小化的薄膜。下面的表格是3N5的高純鈷鎳釩(93/7wt%) 合金濺射靶的成分分析證明書。此外,我司還可生產各種鎳合金靶材,如鎳鋁,鎳鈷,鎳銅,鎳釩,鎳鎢,鎳鉻硅等合金靶材,并可按照您對靶材成分,尺寸,晶粒度的不同要求來生產。如有任何產品需求,請與我們聯系。采用的分析方法有:1.使用ICP-OES 對金屬元素進行分析;2.使用LECO 進行氣體元素分析。