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三氧化二鐵靶材是一種重要的材料，純度在 99.9% 以上，成分均勻，致密度高，具有良好的鐵磁性、可塑性和導熱性。采用粉末冶金法制備，廣泛應用于電子、陶瓷、化工等領域。

鐵鈷硼靶材是一種重要的磁性材料，通常采用粉末冶金法制備，廣泛應用于磁記錄、磁性傳感器、磁療設備等領域。

鐵鈷鉭合金靶材具有高效、耐用、可靠的特點，適用于在高技術領域中使用，如磁記錄、磁頭材料等。其制備方法通常包括粉末冶金法、真空熔煉法等。

硫化鐵（FeS2）作為一種重要的半導體材料，具有優異的光電性能，因而在電池領域備受關注。制備方法主要有熔煉法，粉末冶金法等。

鐵鎳合金靶材是一種由鐵和鎳兩種金屬組成的靶材材料。通過熱鍛、冷軋、熱處理等工藝制備，這種合金靶材在電子、半導體、磁性材料等領域有著廣泛的應用。

鐵鉿合金靶材是一種由鐵和鉿組成的合金材料。這種合金材料結合了鐵和鉿的優點，具有高強度、高溫穩定性、耐腐蝕性能等優良特性。鐵鉿合金靶材的制備過程主要包括真空熔煉和粉末冶金法兩種。

鐵鉻合金靶材主要由鐵（Fe）和鉻（Cr）兩種元素組成，具有特定的鐵和鉻的比例。通常呈灰黑色，其純度可以達到3N（即99.9%）。制備通常采用真空感應熔煉法和粉末冶金法。

鐵硅合金靶材因其獨特的物理和化學性質，在多個領域中有著廣泛的應用，尤其是在半導體、太陽能電池、光學薄膜和數據存儲設備等方面。鐵硅合金靶材的制備方法主要有鑄造法和粉末冶金法。

鐵錳合金靶材有較高的硬度和耐腐蝕性，制備工藝包括選擇原料、熔煉混合、熱處理、冷變形與退火以及機加工等步驟。主要用于半導體、光學、刀具和模具涂層等。

鐵鈷合金靶材是由高純的鈷和鐵原料經過高真空熔煉得到的，鈷含量可以為 5%、10%、15%、20%等，鈷與鐵是無限固溶的，經過精細的熱加工后，晶粒細小均勻，純度高，密度大。產品廣泛應用于航空航天、太陽能光伏企業、光學鍍膜。

氧化鎳靶材（NiO）是一種重要的材料，具有高純度和特定的晶體結構，以及優異的電學和磁學性質。廣泛應用于薄膜沉積技術中，特別是在半導體器件、光電設備及高性能薄膜的制造過程中。

碳化鎳靶材是一種用于鍍膜工藝的濺射靶材。它主要由鎳和碳組成，具備較高的硬度、熔點和化學穩定性等特點。廣泛用在一些電子器件、光學涂層、耐磨涂層等領域。

鎳鉻鋁釔硅合金靶材是由鎳（Ni）、鉻（Cr）、鋁（Al）、釔（Y）和硅（Si）按一定比例合成的先進材料。它還具備優異的耐磨和耐蝕性能，使其在惡劣工作條件下表現出色。它是一種具有特殊性能和廣泛應用的材料。

鎳鉻硅濺射靶材是一種包含Ni, Cr和Al的合金濺射材料。它具有較高的電阻率，良好的表面特性，耐高溫，并且在高溫下有較高的強度。它在冶金、家用電器、機械制造業等領域中作為發熱元件和電阻材料得到廣泛應用。

鎳鈷合金靶材是一種由高純鎳和鈷經過高真空熔煉制成的靶材，具有良好的硬度、強度、導電性和導熱性。同時，它還表現出較好的耐腐蝕性和抗氧化性。這種材料在電真空器件中有著廣泛應用。